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直流調速器-可控硅、整流晶閘管RC阻容吸收電路的計算
發布時間 : 2018-06-19 14:09 瀏覽量 : 293

電容的選擇:

C=(2.5-5倍)×10的負8次方×IF
1F=1000Uf 1Uf=1000nF 1Nf=1000pf
If=0.367Id
Id-直流電流值

如果整流側采用500A的晶閘管(可控硅)可以計算
C=(2.5-5)×10的負8次方×500=1.25-2.5F 選用2.5F,1kv 的電容器

電阻的選擇:

R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56 選擇10歐
PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的負12次方×R)/2Pfv=2u(1.5-2.0)
u=三相電壓的有效值

RC的時間常數一般情況下取1~10毫秒。

小功率負載通常取2毫秒左右,R=220歐姆1W,C=0.01微法400~630V。

大功率負載通常取10毫秒,R=10歐姆10W,C=1微法630~1000V。

R的選取:小功率選金屬膜或RX21線繞或水泥電阻;大功率選RX21線繞或水泥電阻。

C的選取:CBB系列相應耐壓的無極性電容器。

看保護對象來區分:接觸器線圈的阻尼吸收和小于10A電流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范疇;接觸器觸點和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范疇。

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